Un traceur de courbe pour transistors, FET, thyristors, etc. 4ème partie : La droite de charge dans les transistors.

Cet étage final de puissance BF peut fournir une puissance de 60 W RMS sur 4 ohms ou 50 W sur 8 ohms avec une tension double symétrique de 28 V par branche (4 ohms) ou 35 V (8 ohms). Le circuit utilise un circuit intégré National LM3886 capable d’assumer des pics de puissance de 150 W. Il dispose d’un contrôle de “mute” (silencieux) et d’un trimmer permettant de réduire l’amplitude du signal d’entrée. Le circuit intégré doit être monté sur dissipateur de chaleur.

En voici les caractéristiques :
- distorsion harmonique totale : <0,03 %
- réponse en fréquence : de 20 Hz à 20 kHz
- rapport signal / bruit : 92 dB à 1 W
- sensibilité d’entrée : 750 mV.





Liste des composants
R1 ............ 10 kΩ trimmer
R2, R3 ........ 1 kΩ
R4 à R6 ....... 22 kΩ
R7 ............ 2,7 Ω
R8 ............ 10 Ω
C1, C2, C5 .... 47 μF 50Vl
C3 ............ 220 pF céramique
C4 ............ 10 μF 35 V tantal
C6 ............ 47 pF céramique
C7 ............ 100 nF multicouche
U1 ............ LM3886
L1 ............ 10 spires (diam: 1mm)
S1 ............ inverseur

Divers:
- bornier pas 5 mm (3 x)

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