Ce module Hi-Fi à MOSFET est en mesure de fournir une puissance de 100 W sur 8 ohms et de 150 W sur 4 ohms avec une tension d’alimentation double symétrique de 50 V par branche. Le module, utilisant une paire de MOSFET Hitachi, a une distorsion inférieure à 0,1 % et une bande passante de 5 Hz à 80 kHz.
Le dissipateur est un modèle en L, mais pour dissiper la puissance maximale il doit être fixé sur un dissipateur plus important, par exemple (en stéréo) ceux constituant les deux côtés du boîtier métallique (profilés ou “rails”).
Liste des composants
R1 .......................... 2,2 kΩ
R2, R3 ...................... 47 kΩ
R4, R5 ...................... 3,9 kΩ
R6 .......................... 1 kΩ
R7 .......................... 33 kΩ
R8 .......................... 12 kΩ 1 Watt
R9 .......................... 100 Ω
R10, R12, R14 à R16 ......... 100 Ω
R11 ......................... 47 Ω
R13 ......................... 220 Ω trimmer
R17 ......................... 4,7 Ω 2 Watt
C1 .......................... 10 μF 50 V électrolytique
C2 .......................... 47 pF céramique
C3 .......................... 47 μF 50 V électrolytique
C4 .......................... 6,8 nF céramique
C5, C6 ...................... 33 pF céramique
C7 .......................... 100 nF 100 V polyester
C8, C10 ..................... 220 μF 50 V électrolytique
C9, C11 ..................... 100 nF multicouche
D1 .......................... 1N4002
T1 à T5 ..................... MPSA92
T6 .......................... 2SK1058
T7 .......................... 2SJ162
Divers:
- fil de cuivre 1 mm pour L1
- dissipateur en L